nxp semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4SOT-223 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 最小直流电流增益 | 63@5mA@2V|63@150mA@2V|40@500mA@2V |
| 最大工作频率 | 180(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@50mA@500mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1350 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 集电极最大直流电流 | 1 |
| Maximum Transition Frequency | 180(Typ) |
| Package Width | 3.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1350 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SC-73 |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 6.7(Max) |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| Package Height | 1.7(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 180MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | SC-73 |
| 功率 - 最大 | 1.35W |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 63 @ 150mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-8014-1 |
| 类别 | Bipolar Power |
| 配置 | Single Dual Collector |
| 外形尺寸 | 1.7 x 6.7 x 3.7mm |
| 身高 | 1.7mm |
| 长度 | 6.7mm |
| 最大集电极基极电压 | 60 V |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 包装类型 | SC-73 |
| 宽度 | 3.7mm |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500 mA at 2 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 63 at 5 mA at 2 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 零件号别名 | BCP55 T/R |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1 A |
| 集电极 - 基极电压 | 60 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 180 MHz |
| 功率耗散 | 0.96 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 63 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 180 MHz |
| 直流电流增益 | 63 |
| 集电极电流（DC ） | 1 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
| Transition Frequency ft | :180MHz |
| 功耗 | :640mW |
| DC Collector Current | :1A |
| DC Current Gain hFE | :63 |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-223 |
| No. of Pins | :4 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :500mV |
| Current Ic Continuous a Max | :500mA |
| Gain Bandwidth ft Typ | :180MHz |
| Hfe Min | :63 |
| 工作温度范围 | :-65°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| Weight (kg) | 0.000006 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
