nxp semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6TSSOP |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 A |
| 最小直流电流增益 | 200@2mA@5V |
| 最大工作频率 | 100(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.1@0.5mA@10mA|0.3@5mA@100mA V |
| 最大集电极基极电压 | 50 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 400 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| Maximum Transition Frequency | 100(Min) |
| Package Width | 1.35(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 400 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最大集电极基极电压 | 50 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 |
| 供应商封装形式 | TSSOP |
| 标准包装名称 | TSSOP |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 2.2(Max) |
| Package Height | 1(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 5mA, 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| 供应商设备封装 | 6-TSSOP |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 2mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 50 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 零件号别名 | /T3 BC847BS |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.1 A |
| 集电极 - 基极电压 | 50 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 45 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率 | 100 MHz |
| 功率耗散 | 0.4 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | SOT-363 |
| 元件数 | 2 |
| 直流电流增益（最小值） | 200 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 0.1 A |
| 直流电流增益 | 200 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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