nxp semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-236AB |
| 配置 | Dual Common Cathode |
| 最大反向电压 | 50 V |
| 最大正向电流 | 100 mA |
| 最大正向电压 | 1.1@50mA V |
| 最大二极管电容 | 0.3@20V pF |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 典型的载流子寿命 | 1.25 us |
| 安装 | Surface Mount |
| 类型 | Attenuator|Switch |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| Package Width | 1.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大正向电流 | 100 |
| 典型的载流子寿命 | 1.25 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大反向电压 | 50 |
| 最大二极管电容 | 0.3@20V |
| 最低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | TO-236AB |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大正向电压 | 1.1@50mA |
| Package Length | 3(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 最大串联电阻@最大IF | 1.9@100mA |
| Package Height | 1(Max) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大串联电阻最小的IF | 100@0.5mA |
| 最大功率耗散 | 250 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 最大 | 100mA |
| 电容@ Vr ，F | 0.3pF @ 20V, 1MHz |
| 电阻@ Vr， F | 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 电压 - 峰值反向（最大） | 50V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率耗散（最大） | 250mW |
| 二极管类型 | PIN - 1 Pair Common Cathode |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-1942-1 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | PIN Diodes |
| 载流子寿命 | 1.25 us |
| 正向电流 | 100 mA |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 反向电压 | 50 V |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 正向电压 | 1.1 V at 50 mA |
| 最大串联电阻最小的IF | 100 Ohms at 0.5 mA |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 零件号别名 | BAP70-05 T/R |
| 最大串联电阻@最大IF | 1.9 Ohms at 100 mA |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型的载流子寿命 | 1.25 ns |
| 包装类型 | TO-236AB |
| 串联电阻最小的IF | 100@0.5mA ohm |
| 串联电阻@最大IF | 1.9@100mA ohm |
| 工作温度（最大） | 150C |
| 工作温度（最小值） | -65C |
| 二极管电容 | 0.3 pF |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| Vr - Reverse Voltage | 50 V |
| If - Forward Current | 100 mA |
| Vf - Forward Voltage | 1.1 V at 50 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| 身高 | 1 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 长度 | 3 mm |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
