NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 70A (Tmb) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.7 mOhm @ 25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 405W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 120V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 11384pF @ 60V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 207.1nC @ 10V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 70 A |
| RDS（ON） | 19.4 mOhms |
| 功率耗散 | 405 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 207.1 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 142.1 ns |
| 上升时间 | 58.2 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 120 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 67.7 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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