NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | 20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 9.4(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 306000 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.5@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.3(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 4.5(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100A (Tmb) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.5 mOhm @ 25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 306W |
| 标准包装 | 800 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 80V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 8400pF @ 40V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 125nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-9493-1 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 4.5 mOhms |
| 功率耗散 | 306 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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