_SOT226-Pkg.jpg)
NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| Package Width | 4.5(Max) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 9.4(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 338000 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 4.3@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | I2PAK |
| Package Length | 10.3(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 120 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 120A (Tmb) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商设备封装 | I2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.3 mOhm @ 25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 338W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 9900pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 170nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 120 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 4.3 mOhms |
| 功率耗散 | 338 W |
| 栅极电荷Qg | 170 nC |
| 上升时间 | 91 ns |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 63 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
