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NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 32 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 17 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | I2PAK |
| 封装 | Tube |
| 功率耗散 | 47 W |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 寿命 | New Product: New from this manufacturer. |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 32A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.15V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | I2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 17 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 47W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 552pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10.7nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RDS（ON） | 17 mOhms |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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