NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum DC Collector Current | 0.5 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 安装 | Surface Mount |
| Maximum Transition Frequency | 420(Typ) |
| Package Width | 0.65(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 590 |
| 类型 | NPN |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 15 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 15 |
| 供应商封装形式 | DFN |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 1.05(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 200@10mA@2V|150@100mA@2V|90@500mA@2V |
| Package Height | 0.36(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 420MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 25mV @ 500µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA (ICBO) |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V |
| 供应商设备封装 | 3-DFN1006B (0.6x1) |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 10mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-10515-1 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.1 V |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 最大功率耗散 | 590 mW |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 200 |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 增益带宽产品fT | 420 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 15 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 500 mA |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 15 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 15 V |
| 发射极 - 基极电压 | 6 V |
| 频率 | 420 MHz |
| 功率耗散 | 0.59 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-883 |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 200 |
| 集电极电流（DC ） | 0.5 A |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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