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厂商型号

PBSS2515MB,315 

产品描述

Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 3-Pin DFN T/R

内部编号

229-PBSS2515MB-315

生产厂商

NXP Semiconductors

nxp

#1

数量:10000
10000+¥0.415
30000+¥0.389
50000+¥0.345
100000+¥0.337
250000+¥0.332
最小起订量:10000
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#2

数量:15810
最小起订量:1
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PBSS2515MB,315产品详细规格

规格书 PBSS2515MB,315 datasheet 规格书
PBSS2515MB
集电极最大直流电流 0.5
最低工作温度 -55
安装 Surface Mount
Maximum Transition Frequency 420(Typ)
包装宽度 0.65(Max)
PCB 3
最大功率耗散 590
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 15
最大集电极发射极电压 15
供应商封装形式 DFN
标准包装名称 DFN
最高工作温度 150
包装长度 1.05(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 200@10mA@2V|150@100mA@2V|90@500mA@2V
包装高度 0.36(Max)
最大基地发射极电压 6
封装 Tape and Reel
铅形状 No Lead
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 420MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 25mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
标准包装 10,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 15V
供应商设备封装 3-DFN1006B (0.6x1)
功率 - 最大 250mW
封装/外壳 3-XFDFN
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 10mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-10515-1
工厂包装数量 10000
集电极 - 发射极饱和电压 1.1 V
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 590 mW
直流集电极/增益hfe最小值 200
集电极最大直流电流 1 A
增益带宽产品fT 420 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 15 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 15 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 500 mA
集电极电流( DC)(最大值) 0.5 A
集电极 - 基极电压 15 V
集电极 - 发射极电压 15 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率 420 MHz
功率耗散 0.59 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-883
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 200
集电极电流(DC ) 0.5 A

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