NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | HSOP-F |
| Maximum Frequency | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 225 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 35(Typ) |
| Package Height | 3.6 |
| 安装 | Surface Mount |
| Typical Drain Efficiency | 29 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 190(Typ)@6.05V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| Package Width | 9.96 |
| Typical Power Gain | 20.6 |
| PCB | 4 |
| Package Length | 20.57 |
| 最低工作温度 | -65 |
| Maximum Drain Source Voltage | 65 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Flat |
| 系列 | * |
| 标准包装 | 100 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | 13 V |
| 正向跨导 - 闵 | 6.5 S |
| RDS（ON） | 0.19 Ohms |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| 频率 | 700 MHz to 1000 MHz |
| 增益 | 20.9 dB |
| 封装/外壳 | HSOP-4 |
| 产品类型 | RF Power Transistor |
| 类型 | Power LDMOS Transistor |
| 最高工作温度 | + 225 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管类型 | LDMOS (Dual) |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 供应商设备封装 | 4-HSOPF |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 电流 - 测试 | 1.2A |
| 功率 - 输出 | 35W |
| 其他名称 | 934066972518 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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