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厂商型号

BLF6G15LS-40RN,118 

产品描述

トランジスタRF MOSFET Pwr LDMOS transistor transistor

内部编号

229-BLF6G15LS-40RN-118

生产厂商

NXP Semiconductors

nxp

#1

数量:0
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美国加州
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BLF6G15LS-40RN,118产品详细规格

规格书 BLF6G15LS-40RN,118 datasheet 规格书
BLF6G15L(S)-40RN
供应商封装形式 SMD
标准包装名称 SMD
最大频率 1511
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 200
通道模式 Enhancement
输出功率 2.5(Typ)
Typical Drain Efficiency 13.5
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 320(Typ)@6.15V
最大漏源电压 65
每个芯片的元件数 1
典型功率增益 22.5
最低工作温度 -65
最大连续漏极电流 11
引脚数 2
系列 *
标准包装 100
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 100
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 11 V
连续漏极电流 11 A
安装风格 SMD/SMT
频率 1.45 GHz to 1.55 GHz
输出功率 2.5 W
增益 21.5 dB
封装/外壳 SOT-1135B
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 65 V
RoHS RoHS Compliant

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