#1 |
数量:23735 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:11560 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:6000 |
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最小起订量:1 纽约 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
![]() ![]() RF Design Manual |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | NPN |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 2.8V |
频率转换 | 55GHz |
噪声系数(dB的典型@ F) | 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
增益 | - |
功率 - 最大 | 197mW |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 205 @ 2mA, 2V |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 30mA |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SOT-343F |
供应商器件封装 | 4-DFP |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 4DFP |
类型 | NPN |
引脚数 | 4 |
最大集电极发射极电压 | 2.8 V |
集电极最大直流电流 | 0.03 A |
最小直流电流增益 | 205@2mA@2V |
最大工作频率 | 55000(Typ) MHz |
最大集电极基极电压 | 10 V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 197 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
RoHS | RoHS Compliant |
发射极 - 基极电压VEBO | 1 V |
连续集电极电流 | 5 mA |
功率耗散 | 197 mW |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | SOT343F-4 |
封装 | Reel |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 2.8 V |
直流电流增益hFE最大值 | 555 |
工厂包装数量 | 3000 |
集电极最大直流电流 | 0.03 |
Maximum Transition Frequency | 55000(Typ) |
包装宽度 | 1.35(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 197 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 10 |
最低工作温度 | -65 |
供应商封装形式 | DFP |
标准包装名称 | DFP |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 2.2(Max) |
最大集电极发射极电压 | 2.8 |
包装高度 | 0.75(Max) |
最大基地发射极电压 | 1 |
标签 | Tab |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 30mA |
噪声系数(dB典型值@频率) | 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 55GHz |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 2.8V |
供应商设备封装 | 4-DFP |
功率 - 最大 | 197mW |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 205 @ 2mA, 2V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | 568-8457-1 |
频率 - 跃迁 | 55GHz |
晶体管类型 | NPN |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 205 @ 2mA, 2V |
封装/外壳 | SOT-343F |
功率 - 最大值 | 197mW |
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) | 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 30mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 2.8V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 205 |
Pd - Power Dissipation | 197 mW |
身高 | 0.75 mm |
长度 | 2.2 mm |
集电极 - 基极电压VCBO | 10 V |
工作频率 | 55 GHz |
技术 | SiGe |
品牌 | NXP Semiconductors |
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