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厂商型号

BF1215,115 

产品描述

Transistors RF MOSFET Small Signal Dual N-Channel 6V 30mA 180mW

内部编号

229-BF1215-115

生产厂商

NXP Semiconductors

nxp

#1

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BF1215,115产品详细规格

规格书 BF1215,115 datasheet 规格书
BF1215
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 N-Channel Dual Gate
频率 400MHz
增益 30dB
电压 - 测试 5V
额定电流 30mA
噪声系数 1.5dB
电流 - 测试 19mA
Power - 输出功率 -
电压 - 额定 6V
包/盒 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装 6-TSSOP
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 TSSOP
标准包装名称 TSSOP
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -65
包装高度 1(Max)
安装 Surface Mount
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
典型功率增益 34
最大漏源电压 6
每个芯片的元件数 2
包装宽度 1.35(Max)
典型输入电容@ VDS 2.5
PCB 6
包装长度 2.2(Max)
最大功率耗散 180
最大连续漏极电流 0.03
引脚数 6
铅形状 Gull-wing
晶体管类型 N-Channel Dual Gate
电压 - 额定 6V
噪声系数 1.5dB
标准包装 3,000
供应商设备封装 6-TSSOP
电压 - 测试 5V
频率 400MHz
增益 30dB
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
电流 - 测试 19mA
额定电流 30mA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-6158-6
工厂包装数量 3000
晶体管极性 Dual N-Channel
连续漏极电流 30 mA
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 180 mW
配置 Dual
漏源击穿电压 6 V
RoHS RoHS Compliant
电流 - 测试 19mA
噪声系数 1.5dB
晶体管类型 N-Channel Dual Gate
电压 - 测试 5V
增益 30dB
额定电流 30mA
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
频率 400MHz
电压 - 额定 6V

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