NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 晶体管类型 | N-Channel Dual Gate |
| 电压 - 额定 | 6V |
| 噪声系数 | 1.3dB |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | 6-TSSOP |
| 电压 - 测试 | 5V |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 频率 | 400MHz |
| 增益 | 30dB |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 电流 - 测试 | 18mA |
| 额定电流 | 30mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 6 V |
| 连续漏极电流 | 30 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 180 mW |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 零件号别名 | BF1207 T/R |
| 配置 | Dual Dual Gate |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 6 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 类型 | RF Small Signal MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 6 V, 6 V |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 身高 | 1 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V, 10 V |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 长度 | 2.2 mm |
| Pd - Power Dissipation | 180 mW |
| Id - Continuous Drain Current | 30 mA, 30 mA |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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