NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 A |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz (Min) |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 85 at 150 mA at 10 V, 40 at 500 mA at 10 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOT-346 |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装 | Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 零件号别名 | 2PB710AQ T/R |
| 寿命 | Obsolete |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 30mA, 300mA |
| 标准包装 | 12,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SMT3 |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 85 @ 150mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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