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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

2N7002K,215 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin TO-236AB T/R

内部编号

229-2N7002K-215

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

#1

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最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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2N7002K,215产品详细规格

规格书 2N7002K,215 datasheet 规格书
2N7002K,215 datasheet 规格书
2N7002K,215 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 340mA
Rds(最大)@ ID,VGS 3.9 Ohm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 40pF @ 10V
功率 - 最大 830mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 TO-236AB
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-236AB
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 0.34 A
RDS -于 3900@10V mOhm
最大门源电压 ±15 V
工作温度 -65 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±15
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 830
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 3900@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -65
供应商封装形式 TO-236AB
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3(Max)
引脚数 3
包装高度 1(Max)
最大连续漏极电流 0.34
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 340mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
供应商设备封装 SOT-23-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3.9 Ohm @ 500mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 830mW
输入电容(Ciss ) @ VDS 40pF @ 10V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-4984-1
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3 x 1.4 x 1mm
身高 1mm
长度 3mm
最大漏源电阻 3.9 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 0.83 W
最低工作温度 -65 °C
包装类型 TO-236AB
典型输入电容@ VDS 13 pF @ 10 V
宽度 1.4mm
连续漏极电流 0.34 A
栅源电压(最大值) �15 V
功率耗散 0.83 W
漏源导通电阻 0.0039 ohm
工作温度范围 -65C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 60 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :340mA
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :2.8ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :2V
功耗 :830mW
Operating Temperature Min :-65°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412100

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