nxp semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-236AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.475 A |
| RDS -于 | 2000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 包装宽度 | 1.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 830 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 2000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | TO-236AB |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 3(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 0.475 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 475mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 830mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.69nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-5983-1 |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 3mm |
| 最大漏源电阻 | 2 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.83 W |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 包装类型 | TO-236AB |
| 典型栅极电荷@ VGS | 0.69 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 31 pF V @ 10 |
| 宽度 | 1.4mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 0.475 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 2000 mOhms |
| 功率耗散 | 830 mW |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| 零件号别名 | 2N7002F T/R |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度分类 | Military |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| 漏源导通电阻 | 2 ohm |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 3mm |
| 典型输入电容值@Vds | 31 pF @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 2 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大功率耗散 | 0.83 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 1.4mm |
| 尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-236AB |
| 最大连续漏极电流 | 475 mA |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.69 nC @ 10 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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