NXP Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 1600@10V |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DFN |
| 最大功率耗散 | 715 |
| 最大连续漏极电流 | 0.45 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | No Lead |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 450mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 3-DFN1006B (0.6x1) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.6 Ohm @ 450mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 360mW |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.6nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 568-10438-1 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 450 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 1.6 Ohms |
| 功率耗散 | 715 mW |
| 封装/外壳 | SOT-883B |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | 20 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-883 |
| 极性 | N |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 450mA (Ta) |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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