所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 类型 | Reflective |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最大集电极电流 | 20 mA |
| 最大集电极发射极电压 | 30 V |
| 最大反向电压 | 5 V |
| 最大正向电流 | 50 mA |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 标准包装 | Bulk |
| 输出设备 | Phototransistor |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最大反向电压 | 5 |
| 引脚数 | 4 |
| 最大正向电流 | 50 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 最大集电极电流 | 20 |
| 最低工作温度 | -25 |
| 最大功率耗散 | 100 |
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 20mA |
| 安装类型 | Through Hole |
| 检测方法 | Reflective |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30V |
| 输出类型 | Phototransistor |
| 封装 | Bulk |
| 工作温度 | -35°C ~ 65°C |
| 感应距离为5mm | 0.125" (3.18mm) |
| 电流 - DC正向(If ) | 50mA |
| 封装/外壳 | 4-SIP Module |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 正向电流 | 20 mA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 反向电压 | 5 V |
| 正向电压 | 1.2 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 上升时间 | 3 us |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 4 us |
| 感应距离 | 0.125" (3.18mm) |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V |
| 封装/外壳 | 4-SIP Module |
| 感应方法 | Reflective |
| 输出类型 | Phototransistor |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20mA |
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