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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

LTR-4206E 

产品描述

Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin T-1

内部编号

203-LTR-4206E

生产厂商

lite-on

lite-on

#1

数量:10094
1+¥0.9573
10+¥0.841
50+¥0.7795
100+¥0.6564
500+¥0.6017
1000+¥0.5607
2000+¥0.5265
5000+¥0.4992
10000+¥0.4855
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:59233
1+¥3.0035
10+¥2.0955
25+¥1.8161
100+¥1.397
250+¥1.1352
500+¥0.8382
1000+¥0.6985
2500+¥0.6286
5000+¥0.5937
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:7780
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

LTR-4206E产品详细规格

规格书 LTR-4206E datasheet 规格书
LTR-4206E
LTR-4206E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
- 集电极电流(Ic)(最大) 4.8mA
电流 - 暗(ID)(最大值) 100nA
波长 940nm
可视角度 20°
功率 - 最大 100mW
安装类型 Through Hole
取向 Top View
包/盒 T-1
包装 2T-1
类型 IR Chip
光电晶体管类型 Phototransistor
最大的发射极集电极电压 5 V
最大集电极电流 4.5 mA
镜片颜色 Clear
透镜形状类型 Domed
镜头规格 3 mm
观看方向 Top View
最大下降时间 15000(Typ) ns
最大上升时间 10000(Typ) ns
极性 NPN
截止滤光片 Visible Cut-off
标准包装 Bulk
产品种类 Phototransistors
RoHS RoHS Compliant
最大功率耗散 100 mW
最大暗电流 100 nA
封装/外壳 T-1
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
下降时间 15 us
最高工作温度 + 85 C
最低工作温度 - 40 C
封装 Bulk
上升时间 10 us
工厂包装数量 1000
电流 - 暗( Id)(最大) 100nA
电流 - 集电极( Ic)(最大) 4.8mA
定位 Top View
安装类型 Through Hole
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
可视角度 20°
功率 - 最大 100mW
波长 940nm
封装/外壳 T-1
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
视角 20°
取向 Top View
电流 - 暗 (Id)(最大值) 100nA
封装/外壳 T-1
装配类型 Through Hole
功率 - 最大值 100mW
波长 940nm
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 4.8mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30V

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