图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:1930 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:1822 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:469 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 4N27/4N28 (M, S, -TA1) |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 65 |
| 包装 | 6PDIP |
| 输出类型 | DC |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 典型正向电压 | 1.2 V |
| 最大集电极电流 | 100 mA |
| 最大集电极发射极电压 | 30 V |
| 最大正向电压 | 1.5 V |
| 最小绝缘电压 | 500 Vrms |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 500 mV |
| 最大输入电流 | 80 mA |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大反向电压 | 6 V |
| 工作温度 | -55 to 100 °C |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 产品种类 | Transistor Output Optocouplers |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 输入类型 | DC |
| 隔离电压 | 500 Vrms |
| 最大正向二极管电压 | 1.5 V |
| 最大输入二极管电流 | 80 mA |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PDIP-6 |
| 封装 | Tube |
| 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 工厂包装数量 | 65 |
| 最大输入电流 | 80 |
| 包装宽度 | 6.5 |
| 安装 | Through Hole |
| 最小绝缘电压 | 500 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 250 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大反向电压 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | PDIP |
| 标准包装名称 | PDIP |
| 最高工作温度 | 100 |
| 最大正向电压 | 1.5 |
| 包装长度 | 7.3 |
| 引脚数 | 6 |
| 包装高度 | 3.5 |
| 最大集电极电流 | 100 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 输出/通道 | 100mA |
| 电流传输比（最小值） | 10% @ 10mA |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） | 500mV |
| 电压 - 输出 | 30V |
| 通道数 | 1 |
| 电流 - DC正向（If ） | 80mA |
| 电压 - 隔离 | 500Vrms |
| 其他名称 | 4N28LT |
| 封装/外壳 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 0.1 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 功率耗散 | 0.25 W |
| 工作温度范围 | -55C to 100C |
| 包装类型 | PDIP |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 正向电压 | 1.5 V |
| 正向电流 | 80 mA |
| 反向击穿电压 | 6 V |
| 弧度硬化 | No |
| Vr - Reverse Voltage | 6 V |
| If - Forward Current | 80 mA |
| Vf - Forward Voltage | 1.5 V |
| 品牌 | Lite-On |
| 身高 | 3.5 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 长度 | 7.3 mm |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
4N28也可以通过以下分类找到
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