厂商型号:

MKI75-06A7T

芯天下内部编号:
184-MKI75-06A7T
生产厂商:

IXYS

microsemi
描述:
I
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
供应商封装形式 E2
Maximum Gate Emitter Voltage ±20
Maximum Continuous Collector Current 90
欧盟RoHS指令 Supplier Unconfirmed
最高工作温度 150
标准包装名称 E2
Package Height 17
安装 Screw
最大功率耗散 280000
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 600
Package Width 45
PCB 12
Package Length 107.5
最低工作温度 -40
配置 Quad
引脚数 12
输入电容(Cies ) @ Vce时 3.2nF @ 25V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 90A
IGBT类型 NPT
安装类型 Chassis Mount
电流 - 集电极截止(最大) 1.3mA
标准包装 6
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.6V @ 15V, 75A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 E2
功率 - 最大 280W
封装/外壳 E2
输入 Standard
NTC热敏电阻 Yes
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 6
集电极 - 发射极饱和电压 600 V
栅极 - 射极漏泄电流 200 nA
系列 MKI75
连续集电极电流在25 C 90 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
产品 IGBT Silicon Modules
安装风格 Screw
功率耗散 280 W
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
最低工作温度 - 40 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
品牌 IXYS
Pd - Power Dissipation 280 W
身高 17 mm
长度 107.5 mm

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