IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 |
| Maximum Continuous Collector Current | 125 |
| 欧盟RoHS指令 | Supplier Unconfirmed |
| 最高工作温度 | 125 |
| Package Height | 17 |
| 安装 | Screw |
| 最大功率耗散 | 640000 |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 |
| Package Width | 62 |
| PCB | 14 |
| Package Length | 122 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 配置 | Quad |
| 引脚数 | 14 |
| 输入电容（Cies ） @ Vce时 | 6.5nF @ 25V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 125A |
| IGBT类型 | NPT |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1.3mA |
| 标准包装 | 5 |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 3.9V @ 15V, 100A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| 供应商设备封装 | E3 |
| 功率 - 最大 | 640W |
| 封装/外壳 | E3 |
| 输入 | Standard |
| NTC热敏电阻 | No |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 600 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.2 kV |
| 工厂包装数量 | 5 |
| 系列 | MKI100 |
| 连续集电极电流在25 C | 125 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Bulk |
| 功率耗散 | 640 W |
| 最大栅极发射极电压 | +/- 20 V |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 品牌 | IXYS |
| Pd - Power Dissipation | 640 W |
| 身高 | 17 mm |
| 长度 | 122 mm |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
