IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 输入电容（Cies ） @ Vce时 | 3.69nF @ 25V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 210A |
| IGBT类型 | PT |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 标准包装 | 10 |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.35V @ 15V, 110A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 650V |
| 供应商设备封装 | SOT-227B |
| 功率 - 最大 | 750W |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 输入 | Standard |
| 配置 | Single |
| NTC热敏电阻 | No |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 100 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.98 V |
| 连续集电极电流在25 C | 210 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 750 W |
| 封装 | Tube |
| 最大栅极发射极电压 | 20 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 商品名 | XPT |
| 系列 | IXXN110N65 |
| 品牌 | IXYS |
| Pd - Power Dissipation | 750 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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