IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 195A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 30 |
| 供应商设备封装 | ISOPLUS247™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8 mOhm @ 105A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 390W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 69500pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 740nC @ 10V |
| 系列 | IXTR210P10 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 100 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | - 195 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8 mOhms |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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