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| 规格书 |
 IXT(K,X)110N20L2 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 25 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 110A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 24 mOhm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.5V @ 3mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 500nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 960W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-264-3, TO-264AA |
| 供应商器件封装 | TO-264 |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装宽度 | 5.13(Max) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 26.16(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 960000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 24@10V |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | TO-264 |
| 包装长度 | 19.96(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 110 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 110A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 3mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 供应商设备封装 | TO-264 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 24 mOhm @ 55A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 960W |
| 标准包装 | 25 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 23000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 500nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-264-3, TO-264AA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 110 A |
| 封装/外壳 | TO-264-3 |
| 下降时间 | 135 ns |
| 单位重量 | 0.352740 oz |
| 商品名 | LinearL2 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 55 s |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IXTK110N20 |
| RDS（ON） | 24 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 960 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 100 ns |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅极电荷Qg | 500 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
| 宽度 | 5.31 mm |
| Qg - Gate Charge | 500 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | LinearL2 Power MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 110 A |
| 长度 | 20.29 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms |
| 身高 | 26.59 mm |
| 典型导通延迟时间 | 40 ns |
| Pd - Power Dissipation | 960 W |
| 技术 | Si |
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