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Thumbnail IXTH8P50 Thumbnail IXTH8P50
厂商型号:

IXTH8P50

芯天下内部编号:
184-IXTH8P50
生产厂商:

IXYS

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
最大门源电压 ±20
安装 Through Hole
Package Width 5.3(Max)
PCB 3
最大功率耗散 180000
最大漏源电压 500
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 1500@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-247AD
标准包装名称 TO-247-AD
最高工作温度 150
渠道类型 P
Package Length 16.26(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
Package Height 21.46(Max)
最大连续漏极电流 7
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.2 Ohm @ 4A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 180W
标准包装 30
漏极至源极电压(Vdss) 500V
输入电容(Ciss ) @ VDS 3400pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 130nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 30
晶体管极性 P-Channel
连续漏极电流 - 8 A
下降时间 35 ns
单位重量 0.229281 oz
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 4 s
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 35 ns
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 IXTH8P50
RDS(ON) 1.2 Ohms
安装风格 Through Hole
功率耗散 180 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 27 ns
漏源击穿电压 500 V
栅极电荷Qg 130 nC
漏源极电压 (Vdss) 500V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 3400pF @ 25V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.2 Ohm @ 4A, 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 130nC @ 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
封装/外壳 TO-247-3
功率 - 最大值 180W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage - 5 V
宽度 5.3 mm
Qg - Gate Charge 130 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
类型 Standard Power MOSFET
品牌 IXYS
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 P-Channel
Id - Continuous Drain Current - 8 A
长度 16.26 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 1.2 Ohms
身高 21.46 mm
典型导通延迟时间 33 ns
Pd - Power Dissipation 180 W
技术 Si

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