IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1500 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Drain Source Resistance | 2000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 890000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 |
| 最低工作温度 | -55 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2 Ohm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 890W |
| 标准包装 | 30 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1500V (1.5kV) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3720pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 106nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 系列 | IXTH12N150 |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 2 Ohms |
| 功率耗散 | 890 W |
| 下降时间 | 14 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 8 s |
| 典型关闭延迟时间 | 53 ns |
| 上升时间 | 16 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 1.5 kV |
| 栅极电荷Qg | 106 nC |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Tc) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
| 宽度 | 5.3 mm |
| Qg - Gate Charge | 106 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 类型 | High Voltage Power MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| 长度 | 16.26 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 身高 | 21.46 mm |
| 典型导通延迟时间 | 26 ns |
| Pd - Power Dissipation | 890 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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