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厂商型号

IXTH12N150 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A

内部编号

184-IXTH12N150

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:422
1+¥76.1036
10+¥63.8641
100+¥60.1718
250+¥54.8384
500+¥51.3511
1000+¥47.0434
最小起订量:1
美国加州
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IXTH12N150产品详细规格

规格书 IXT(T,H)12N150
最大门源电压 ±30
最大漏源电压 1500
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
渠道类型 N
最大漏源电阻 2000@10V
每个芯片的元件数 1
最大功率耗散 890000
最大连续漏极电流 12
最低工作温度 -55
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 12A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 250µA
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2 Ohm @ 6A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 890W
标准包装 30
漏极至源极电压(Vdss) 1500V (1.5kV)
输入电容(Ciss ) @ VDS 3720pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 106nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 30
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 30 V
连续漏极电流 12 A
系列 IXTH12N150
安装风格 Through Hole
RDS(ON) 2 Ohms
功率耗散 890 W
下降时间 14 ns
最低工作温度 - 55 C
正向跨导 - 闵 8 s
典型关闭延迟时间 53 ns
上升时间 16 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 1.5 kV
栅极电荷Qg 106 nC
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 12A (Tc)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4.5 V
宽度 5.3 mm
Qg - Gate Charge 106 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
类型 High Voltage Power MOSFET
品牌 IXYS
Id - Continuous Drain Current 12 A
长度 16.26 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 2 Ohms
RoHS RoHS Compliant
身高 21.46 mm
典型导通延迟时间 26 ns
Pd - Power Dissipation 890 W
技术 Si

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