IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 9.2 |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 230000 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 14@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-263 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 9.9 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 4.5 |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 100µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-263AA |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 14 mOhm @ 25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 230W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3040pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 60nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 下降时间 | 48 ns |
| 单位重量 | 0.056438 oz |
| 商品名 | TrenchMV |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 正向跨导 - 闵 | 33 s |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IXTA80N10 |
| RDS（ON） | 14 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 230 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 54 ns |
| 漏源击穿电压 | 105 V |
| 栅极电荷Qg | 60 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 105 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| 宽度 | 10.41 mm |
| Qg - Gate Charge | 60 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | TrenchMV Power MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| 长度 | 9.65 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 14 mOhms |
| 身高 | 4.83 mm |
| 典型导通延迟时间 | 31 ns |
| Pd - Power Dissipation | 230 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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