1. IXGP24N120C3
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXGP24N120C3 

产品描述

IGBT Transistors 24 Amps 1200V

内部编号

184-IXGP24N120C3

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:94
1+¥38.2911
10+¥30.4961
100+¥24.8209
500+¥22.8379
1000+¥19.8293
2500+¥18.8721
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:287
最小起订量:1
美国费城
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IXGP24N120C3产品详细规格

规格书 IXGP24N120C3 datasheet 规格书
IXG(A,H,P)24N120C3
IXGP24N120C3 datasheet 规格书
标准包装 50
IGBT 型 PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 4.2V @ 15V, 20A
集电极电流(Ic)(最大) 48A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 96A
功率 - 最大 250W
Switching 能源 1.16mJ (on), 470µJ (off)
输入 型 Standard
栅极电荷 79nC
Td(开/关)@ 25°C 16ns/93ns
测试条件 600V, 20A, 5 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr) -
包装材料 Tube
包/盒 TO-220-3
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 TO-220
动态目录 Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17423?mpart=IXGP24N120C3&vendor=238&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
栅极电荷 79nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 48A
安装类型 Through Hole
开关能量 1.16mJ (on), 470µJ (off)
标准包装 50
时间Td(开/关) @ 25°C 16ns/93ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 4.2V @ 15V, 20A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 TO-220
封装 Tube
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
IGBT类型 PT
测试条件 600V, 20A, 5 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 96A
工厂包装数量 50
集电极 - 发射极饱和电压 3.6 V
最低工作温度 - 55 C
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
连续集电极电流Ic最大 96 A
系列 IXGP24N120
连续集电极电流在25 C 48 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1.2 kV
单位重量 0.081130 oz
安装风格 Through Hole
功率耗散 250 W
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
商品名 GenX3
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
宽度 4.83 mm
品牌 IXYS
工作温度范围 - 55 C to + 150 C
长度 10.66 mm
连续集电极电流 48 A
身高 16 mm
Pd - Power Dissipation 250 W
技术 Si

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