所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 栅极电荷 | 168nC |
| 安装类型 | Through Hole |
| 开关能量 | 1.5mJ (on), 1mJ (off) |
| 标准包装 | 30 |
| 时间Td(开/关) @ 25°C | 25ns/138ns |
| Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 1.8V @ 15V, 50A |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 460W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| IGBT类型 | PT |
| 测试条件 | 480V, 50A, 3 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲( ICM ) | 400A |
| 系列 | IXGH64N60 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.59 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 品牌 | IXYS |
| 连续集电极电流在25 C | 400 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 最大栅极发射极电压 | +/- 20 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
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