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Thumbnail IXGH60N60C3D1 Thumbnail IXGH60N60C3D1
厂商型号:

IXGH60N60C3D1

芯天下内部编号:
184-IXGH60N60C3D1
生产厂商:

IXYS

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
栅极电荷 115nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 75A
安装类型 Through Hole
开关能量 800µJ (on), 450µJ (off)
标准包装 30
时间Td(开/关) @ 25°C 21ns/70ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.5V @ 15V, 40A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247AD
反向恢复时间(trr ) 25ns
封装 Tube
功率 - 最大 380W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 PT
测试条件 400V, 40A, 3 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 300A
工厂包装数量 90
产品 IGBT Silicon Modules
最低工作温度 - 55 C
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
系列 IXGH60N60
连续集电极电流在25 C 75 A
安装风格 Through Hole
功率耗散 380 W
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
商品名 GenX3
集电极 - 发射极饱和电压 600 V
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
品牌 IXYS
身高 21.46 mm
宽度 5.3 mm
长度 16.26 mm
Pd - Power Dissipation 380 W

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