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厂商型号

IXGA20N120B3 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 36A 3-Pin(2+Tab) TO-263

内部编号

184-IXGA20N120B3

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:35
1+¥34.1201
10+¥27.1457
100+¥22.0858
500+¥20.308
1000+¥17.7096
2500+¥16.8207
5000+¥16.0686
最小起订量:1
美国加州
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IXGA20N120B3产品详细规格

规格书 IXGA20N120B3 datasheet 规格书
IXGx20N120B3
标准包装 50
IGBT 型 PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 3.1V @ 15V, 16A
集电极电流(Ic)(最大) 36A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 80A
功率 - 最大 180W
Switching 能源 920µJ (on), 560µJ (off)
输入 型 Standard
栅极电荷 51nC
Td(开/关)@ 25°C 16ns/150ns
测试条件 600V, 16A, 15 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr) -
包装材料 Tube
包/盒 TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
安装类型 Surface Mount
供应商器件封装 TO-263
供应商封装形式 TO-263
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 36
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 9.65(Max)
标准包装名称 D2PAK
包装高度 4.83(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 180000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1200
标签 Tab
PCB 2
包装长度 10.41(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 51nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 36A
安装类型 Surface Mount
开关能量 920µJ (on), 560µJ (off)
标准包装 50
时间Td(开/关) @ 25°C 16ns/150ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 3.1V @ 15V, 16A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 TO-263
封装 Tube
功率 - 最大 180W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
IGBT类型 PT
测试条件 600V, 16A, 15 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 80A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 IXGA20N120
工厂包装数量 50
栅极 - 射极漏泄电流 +/- 100 nA
集电极 - 发射极饱和电压 2.7 V
品牌 IXYS
连续集电极电流在25 C 36 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1.2 kV
产品 IGBT Silicon Modules
安装风格 SMD/SMT
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C

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