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数量:35 |
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规格书 |
IXGx20N120B3 |
标准包装 | 50 |
IGBT 型 | PT |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 1200V |
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 | 3.1V @ 15V, 16A |
集电极电流(Ic)(最大) | 36A |
当前 - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
功率 - 最大 | 180W |
Switching 能源 | 920µJ (on), 560µJ (off) |
输入 型 | Standard |
栅极电荷 | 51nC |
Td(开/关)@ 25°C | 16ns/150ns |
测试条件 | 600V, 16A, 15 Ohm, 15V |
反向恢复时间(trr) | - |
包装材料 | Tube |
包/盒 | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
安装类型 | Surface Mount |
供应商器件封装 | TO-263 |
供应商封装形式 | TO-263 |
最大栅极发射极电压 | ±20 |
最大连续集电极电流 | 36 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
包装宽度 | 9.65(Max) |
标准包装名称 | D2PAK |
包装高度 | 4.83(Max) |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 180000 |
渠道类型 | N |
最大集电极发射极电压 | 1200 |
标签 | Tab |
PCB | 2 |
包装长度 | 10.41(Max) |
最低工作温度 | -55 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
栅极电荷 | 51nC |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 36A |
安装类型 | Surface Mount |
开关能量 | 920µJ (on), 560µJ (off) |
标准包装 | 50 |
时间Td(开/关) @ 25°C | 16ns/150ns |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 3.1V @ 15V, 16A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 1200V |
供应商设备封装 | TO-263 |
封装 | Tube |
功率 - 最大 | 180W |
输入类型 | Standard |
封装/外壳 | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
IGBT类型 | PT |
测试条件 | 600V, 16A, 15 Ohm, 15V |
电流 - 集电极脉冲( ICM ) | 80A |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
系列 | IXGA20N120 |
工厂包装数量 | 50 |
栅极 - 射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
集电极 - 发射极饱和电压 | 2.7 V |
品牌 | IXYS |
连续集电极电流在25 C | 36 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
产品 | IGBT Silicon Modules |
安装风格 | SMD/SMT |
最大栅极发射极电压 | +/- 20 V |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
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