IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Categoria | Power MOSFET |
| Dissipazione massima della potenza | 780000 |
| 符合UE | Compliant |
| Confezione fornitore | PLUS 247 |
| Corrente di drain continua massima | 20 |
| 诺姆标准苏拉confezione | PLUS 247 |
| Package Height | 21.34(Max) |
| Montaggio | Through Hole |
| Temperatura d'esercizio minima | -55 |
| Package Width | 5.21(Max) |
| TIPO二运河 | N |
| Massima temperatura d'esercizio | 150 |
| 每个芯片NUMERO二培元 | 1 |
| 标签 | Tab |
| Modalità canale | Enhancement |
| PCB | 3 |
| Package Length | 16.13(Max) |
| Resistenza di sorgente di drain massima | 570@10V |
| Massima tensione di drain alla fonte | 1200 |
| Tensione di fonte gate massima | ±30 |
| NUMERO DEI针 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 6.5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 标准包装 | 30 |
| 供应商设备封装 | PLUS247™-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 570 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 780W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 11100pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 193nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 20 A |
| 系列 | IXFX20N120 |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 570 mOhms |
| 功率耗散 | 780 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 上升时间 | 45 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 1200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 70 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 V |
| 宽度 | 5.21 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | HyperFET |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| 长度 | 16.13 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 570 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 21.34 mm |
| 典型导通延迟时间 | 49 ns |
| Pd - Power Dissipation | 780 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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