IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±30 |
| 安装 | Through Hole |
| Package Width | 5.21(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 208000 |
| 最大漏源电压 | 800 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 420@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | ISOPLUS247 |
| 标准包装名称 | ISOPLUS247 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 16.13(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 21.34(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 13A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 4mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 800V |
| 标准包装 | 30 |
| 供应商设备封装 | ISOPLUS247™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 420 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 208W |
| 封装/外壳 | ISOPLUS247™ |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7200pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 105nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 13 A |
| 系列 | IXFR24N80 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 420 mOhms |
| 功率耗散 | 208 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 15 S, 25 S |
| 栅极电荷Qg | 105 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 上升时间 | 27 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| 宽度 | 5.21 mm |
| Qg - Gate Charge | 105 nC |
| 类型 | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | HyperFET |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 13 A |
| 长度 | 16.13 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 420 mOhms |
| 身高 | 21.34 mm |
| 典型导通延迟时间 | 32 ns |
| Pd - Power Dissipation | 208 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
