IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 180A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 480W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 10500pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 185nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 系列 | IXFP180N10 |
| 单位重量 | 0.081130 oz |
| 商品名 | HiPerFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 系列 | TrenchT2™ HiPerFET™ |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 10500pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 6 mOhm @ 50A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 185nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 功率 - 最大值 | 480W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6 mOhms |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 180 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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