IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | SOT-227 |
| 安装 | Screw |
| 最大功率耗散 | 890000 |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Drain Source Resistance | 60@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 25.42(Max) |
| 供应商封装形式 | SOT-227B |
| Package Length | 38.23(Max) |
| PCB | 4 |
| 最大连续漏极电流 | 80 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Screw |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 8mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | SOT-227B |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 60 mOhm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 890W |
| 标准包装 | 10 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 12800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 250nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 配置 | Single Dual Source |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 系列 | IXFN80N50 |
| 单位重量 | 1.340411 oz |
| RDS（ON） | 60 mOhms |
| 功率耗散 | 890 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 上升时间 | 25 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 11 ns |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 漏源导通电阻 | 0.06 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-227B |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 弧度硬化 | No |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| 宽度 | 25.42 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | HyperFET |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| 长度 | 38.23 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60 mOhms |
| 身高 | 9.6 mm |
| 典型导通延迟时间 | 29 ns |
| Pd - Power Dissipation | 890 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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