IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | SOT-227 |
| 安装 | Screw |
| 最大功率耗散 | 625000 |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Drain Source Resistance | 90@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 25.42(Max) |
| 供应商封装形式 | SOT-227B |
| Package Length | 38.23(Max) |
| PCB | 4 |
| 最大连续漏极电流 | 55 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Screw |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 55A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 8mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | SOT-227B |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 90 mOhm @ 27.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 625W |
| 标准包装 | 10 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 9400pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 330nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 55 A |
| 系列 | IXFN55N50 |
| 单位重量 | 1.340411 oz |
| RDS（ON） | 90 mOhms |
| 功率耗散 | 625 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 上升时间 | 60 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 45 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.09 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-227B |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 案例 | SOT227B |
| Transistor type | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 500V |
| 功率 | 600W |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 55A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.04 kg |
| On-state resistance | 80mΩ |
| Schematic diagram | see |
| 漏源极电压 (Vdss) | 500V |
| 系列 | HiPerFET™ |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 9400pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 90 mOhm @ 27.5A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 330nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 8mA |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 功率 - 最大值 | 625W |
| Closing resistance | 85 mOhm |
| Recovery time | 250 ns |
| Power dissipation | 600 |
| Operating temperature | -55...150 °C |
| Housing type | SOT-227B |
| Drain source voltage | 500 V |
| Variants | Enhancement mode |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | HyperFET |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 55 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 90 mOhms |
| 典型导通延迟时间 | 45 ns |
| Pd - Power Dissipation | 625 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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