IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 260A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 8mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 170V |
| 供应商设备封装 | SOT-227B |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.2 mOhm @ 60A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1070W |
| 标准包装 | 10 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 45000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 640nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 260 A |
| 封装/外壳 | SOT-227B |
| 下降时间 | 230 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 商品名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 正向跨导 - 闵 | 120 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IXFN320N17 |
| RDS（ON） | 5.2 mOhms |
| 功率耗散 | 1070 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 170 ns |
| 漏源击穿电压 | 170 V |
| 栅极电荷Qg | 640 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 170 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Qg - Gate Charge | 640 nC |
| 类型 | GigaMOS Trench T2 HiperFet |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 260 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.2 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 典型导通延迟时间 | 46 ns |
| Pd - Power Dissipation | 1.07 kW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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