IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 98A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 8mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | TO-264 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 50 mOhm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1300W |
| 标准包装 | 25 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 13100pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 197nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-264-3, TO-264AA |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 98 A |
| 正向跨导 - 闵 | 96 S, 58 S |
| RDS（ON） | 50 mOhms |
| 功率耗散 | 1300 W |
| 封装/外壳 | TO-264 |
| 栅极电荷Qg | 197 nC |
| 上升时间 | 8 ns |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 6 ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 19.96mm |
| 典型输入电容值@Vds | 13100 pF@ 25 V |
| 系列 | HiperFET, Polar3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 26.16mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 50 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 1300 W |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 5.13mm |
| 尺寸 | 19.96 x 5.13 x 26.16mm |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns |
| 典型关断延迟时间 | 65 ns |
| 封装类型 | TO-264 |
| 最大连续漏极电流 | 98 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 197 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 25 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Qg - Gate Charge | 197 nC |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | HyperFET |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 98 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50 mOhms |
| 系列 | IXFK98N50 |
| Pd - Power Dissipation | 1.3 kW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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