IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| Package Width | 5.13(Max) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 26.16(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 1670000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 5.2@10V |
| 最大漏源电压 | 170 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | TO-264 |
| Package Length | 19.96(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 320 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 320A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 8mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 170V |
| 标准包装 | 25 |
| 供应商设备封装 | TO-264 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.2 mOhm @ 60A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1670W |
| 封装/外壳 | TO-264-3, TO-264AA |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 45000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 640nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 输出电流 | 320 A |
| 最大功率耗散 | 1670 W |
| 类型 | GigaMOS Trench T2 HiperFet |
| 驱动器数 | Single |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最大开启延迟时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 230 ns |
| 输出数 | 1 |
| 商品名 | TrenchT2 GigaMOS |
| 输出电压 | 170 V |
| 电源电流 | 100 A |
| 上升时间 | 170 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 最大关闭延迟时间 | 115 ns |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 工作电源电流 | 100 A |
| 品牌 | IXYS |
| 系列 | IXFK320N17 |
| Pd - Power Dissipation | 1670 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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