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Thumbnail IXFH4N100Q Thumbnail IXFH4N100Q
厂商型号:

IXFH4N100Q

芯天下内部编号:
184-IXFH4N100Q
生产厂商:

IXYS

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
Maximum Gate Source Voltage ±20
安装 Through Hole
Package Width 5.3(Max)
PCB 3
最大功率耗散 150000
Maximum Drain Source Voltage 1000
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Drain Source Resistance 3000@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-247AD
标准包装名称 TO-247-AD
最高工作温度 150
渠道类型 N
Package Length 16.26(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
Package Height 21.46(Max)
Maximum Continuous Drain Current 4
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 4A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 1.5mA
漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV)
标准包装 30
供应商设备封装 TO-247AD
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3 Ohm @ 2A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 150W
封装/外壳 TO-247-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 1050pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 39nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 30
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 4 A
系列 IXFH4N100
单位重量 0.229281 oz
RDS(ON) 3 Ohms
功率耗散 150 W
安装风格 Through Hole
典型关闭延迟时间 32 ns
上升时间 15 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 1000 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 18 ns
漏源极电压 (Vdss) 1000V (1kV)
系列 HiPerFET™
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1050pF @ 25V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 Ohm @ 2A, 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 39nC @ 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1.5mA
封装/外壳 TO-247-3
功率 - 最大值 150W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1000 V
宽度 5.3 mm
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
品牌 IXYS
通道数 1 Channel
商品名 HyperFET
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 4 A
长度 16.26 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 3 Ohms
身高 21.46 mm
典型导通延迟时间 17 ns
Pd - Power Dissipation 150 W
技术 Si

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