IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 400A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 75V |
| 标准包装 | 30 |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1000W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 24000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 420nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 400 A |
| 系列 | IXFH400N075 |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 2.3 mOhms |
| 功率耗散 | 1 kW |
| 下降时间 | 44 ns |
| 商品名 | TrenchT2, HiperFET |
| 正向跨导 - 闵 | 80 s |
| 典型关闭延迟时间 | 67 ns |
| 上升时间 | 20 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 75 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 420 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| 宽度 | 5.3 mm |
| Qg - Gate Charge | 420 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 400 A |
| 长度 | 16.26 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.3 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 21.46 mm |
| 典型导通延迟时间 | 35 ns |
| Pd - Power Dissipation | 1 kW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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