IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Confezione fornitore | TO-247AD |
| Montaggio | Through Hole |
| Resistenza di sorgente di drain massima | 200@10V |
| TIPO二运河 | N |
| 每个芯片NUMERO二培元 | 1 |
| Package Width | 5.3(Max) |
| Modalità canale | Enhancement |
| PCB | 3 |
| Massima tensione di drain alla fonte | 500 |
| Tensione di fonte gate massima | ±20 |
| 符合UE | Compliant |
| Categoria | Power MOSFET |
| Dissipazione massima della potenza | 300000 |
| 诺姆标准苏拉confezione | TO-247-AD |
| Temperatura d'esercizio minima | -55 |
| 经conduttore | Through Hole |
| NUMERO DEI针 | 3 |
| Corrente di drain continua massima | 26 |
| Package Length | 16.26(Max) |
| Package Height | 21.46(Max) |
| Massima temperatura d'esercizio | 150 |
| 标签 | Tab |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 26A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 4mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | TO-247AD |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 200 mOhm @ 13A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 标准包装 | 30 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4200pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 160nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 26 A |
| 封装/外壳 | TO-247AD |
| 下降时间 | 30 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.229281 oz |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 21 s |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IXFH26N50 |
| RDS（ON） | 200 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 300 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 33 ns |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 漏极电流（最大值） | 26 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 安装 | Through Hole |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.2 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-247AD |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Closing resistance | 0.20 Ohm |
| Recovery time | 250 ns |
| Drain current | 26 A |
| Power dissipation | 300 |
| Operating temperature | -55...150 °C |
| Housing type | TO-247AD |
| Drain source voltage | 500 V |
| Variants | Enhancement mode |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| 宽度 | 5.3 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | HyperFET |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 26 A |
| 长度 | 16.26 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms |
| 身高 | 21.46 mm |
| 典型导通延迟时间 | 16 ns |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
