IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 300000 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 1900@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-263AA |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 10.29(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 4.83(Max) |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 6V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-263 (D2Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2590pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 47nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 7 A |
| 下降时间 | 44 ns |
| 单位重量 | 0.056438 oz |
| 商品名 | Polar, HiPerFET |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 3.6 s |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 系列 | IXFA7N100 |
| RDS（ON） | 1.9 Ohms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 300 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 49 ns |
| 漏源击穿电压 | 1 kV |
| 栅极电荷Qg | 47 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 6 V |
| 宽度 | 10.41 mm |
| Qg - Gate Charge | 47 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 类型 | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 7 A |
| 长度 | 9.65 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.9 Ohms |
| 身高 | 4.83 mm |
| 典型导通延迟时间 | 25 ns |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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