IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | ISOPLUS I4-PAC |
| 包装高度 | 20.88 |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 130000 |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Drain Source Resistance | 350@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 600 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装宽度 | 5.03 |
| 供应商封装形式 | ISOPLUS I4-PAC |
| 包装长度 | 19.91 |
| PCB | 5 |
| 最大连续漏极电流 | 12 |
| 引脚数 | 5 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 350 mOhm @ 11A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 130W |
| 标准包装 | 25 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3600pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 58nC @ 10V |
| 封装/外壳 | i4-Pac™-5 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 封装/外壳 | ISOPLUS-i4-Pak |
| 下降时间 | 23 ns |
| 单位重量 | 0.229281 oz |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 15 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 系列 | FMM22-06PF |
| RDS（ON） | 350 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 130 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 20 ns |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅极电荷Qg | 58 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 58 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 2 Channel |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 350 mOhms |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| Pd - Power Dissipation | 130 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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