厂商型号:

MWI50-06A7

芯天下内部编号:
184-MWI50-06A7
生产厂商:

IXYS

microsemi
描述:
D
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
供应商封装形式 E2
Maximum Gate Emitter Voltage ±20
Maximum Continuous Collector Current 72
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 E2
包装高度 17
安装 Screw
最大功率耗散 225000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 600
包装宽度 45
PCB 18
包装长度 107.5
最低工作温度 -40
配置 Hex
引脚数 18
输入电容(Cies ) @ Vce时 2.8nF @ 25V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 72A
IGBT类型 NPT
安装类型 Chassis Mount
电流 - 集电极截止(最大) 600µA
标准包装 6
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.4V @ 15V, 50A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 E2
功率 - 最大 225W
封装/外壳 E2
输入 Standard
NTC热敏电阻 No
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 6
产品 Power Semiconductor Modules
系列 MWI50
正向电压下降 1.6 V
安装风格 Screw
封装 Bulk
工作温度 - 40 C to + 150 C
类型 Six-Pack IGBT Modules
RoHS RoHS Compliant
集电极 - 发射极电压 600 V
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -40C
工作温度分类 Automotive
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
集电极电流( DC)(最大值) 72 A
包装类型 E2
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 72 A
不同 Vce 时的输入电容 (Cies) 2.8nF @ 25V
配置 Three Phase Inverter
NTC 热敏电阻 No
电流 - 集电极截止(最大值) 600µA
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.4V @ 15V, 50A
封装/外壳 E2
功率 - 最大值 225W
IGBT 类型 NPT
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 72A
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
输入 Standard
Vf - Forward Voltage 1.6 V
品牌 IXYS
最低工作温度 - 40 C
最高工作温度 + 150 C

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