厂商型号:

MUBW25-12A7

芯天下内部编号:
184-MUBW25-12A7
生产厂商:

IXYS

microsemi
描述:
D
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
Maximum Gate Emitter Voltage ±20
Maximum Continuous Collector Current 50
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 125
Package Height 17
安装 Screw
最大功率耗散 225000
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 1200
Package Width 45
PCB 24
Package Length 107.5
最低工作温度 -40
配置 Hex
引脚数 24
输入电容(Cies ) @ Vce时 1.65nF @ 25V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50A
IGBT类型 NPT
安装类型 Chassis Mount
电流 - 集电极截止(最大) 900µA
标准包装 6
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.7V @ 15V, 25A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 E2
功率 - 最大 225W
封装/外壳 E2
输入 Three Phase Bridge Rectifier
NTC热敏电阻 Yes
其他名称 MUBW2512A7
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 6
产品 Power Semiconductor Modules
系列 MUBW25
正向电压下降 1.4 V
安装风格 Screw
反向电压 1.6 kV
封装 Bulk
类型 Converter/Brake/Inverter (CBI) IGBT Modules
RoHS RoHS Compliant
不同 Vce 时的输入电容 (Cies) 1.65nF @ 25V
配置 Three Phase Inverter with Brake
NTC 热敏电阻 Yes
电流 - 集电极截止(最大值) 900µA
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.7V @ 15V, 25A
封装/外壳 E2
功率 - 最大值 225W
IGBT 类型 NPT
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 50A
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V
输入 Three Phase Bridge Rectifier
Vr - Reverse Voltage 1.6 kV
Vf - Forward Voltage 1.4 V
品牌 IXYS

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