1. IXXH50N60C3
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厂商型号

IXXH50N60C3 

产品描述

IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp

内部编号

184-IXXH50N60C3

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:32
最小起订量:1
美国加州
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IXXH50N60C3产品详细规格

规格书 IXXH50N60C3 datasheet 规格书
IXXH50N60C3
IXXH50N60C3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
IGBT 型 PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 36A
- 集电极电流(Ic)(最大) 100A
功率 - 最大 600W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3 (TO-247AD)
供应商器件封装 TO-247AD
包装材料 Tube
栅极电荷 64nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100A
安装类型 Through Hole
开关能量 720µJ (on), 330µJ (off)
标准包装 30
时间Td(开/关) @ 25°C 24ns/62ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.3V @ 15V, 36A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247AD
封装 Tube
功率 - 最大 600W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 PT
测试条件 360V 36A, 5 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 200A
工厂包装数量 30
连续集电极电流在25 C 100 A
最低工作温度 - 55 C
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
系列 IXXH50N60
集电极 - 发射极饱和电压 2.3 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
单位重量 0.229281 oz
安装风格 Through Hole
功率耗散 600 W
最大栅极发射极电压 20 V
商品名 XPT
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
品牌 IXYS
Pd - Power Dissipation 600 W
技术 Si

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