IXYS
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 70 |
| 供应商设备封装 | TO-252 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 120 mOhm @ 9A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 83W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2100pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 39nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 70 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | 15 V |
| 连续漏极电流 | - 18 A |
| 系列 | IXTY18P10 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 120 mOhms |
| 功率耗散 | 83 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 13 S |
| 栅极电荷Qg | 39 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 上升时间 | 26 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 22 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18A (Tc) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 2.5 V to - 4.5 V |
| Qg - Gate Charge | 39 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 15 V |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 120 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 典型导通延迟时间 | 19 ns |
| Pd - Power Dissipation | 83 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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