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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | - |
| Rds（最大）@ ID，VGS | - |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 标准包装 | 30 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 系列 | IXTQ36N20 |
| 单位重量 | 0.194007 oz |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 36 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60 Ohms |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
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